Производитель Номер продукта:
TSM60NB260CI C0G
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM60NB260CI C0G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Инвентаризация:
12898786
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM60NB260CI C0G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
260mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1273 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
32.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
TSM60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TSM60NB260CIC0G
TSM60NB260CI C0G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TSM60NB260CI
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Taiwan Semiconductor Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
TSM60NB260CI-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.66
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM7N65ACI C0G
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB
DMG3413L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
TSM190N08CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
